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DEIF SIM-Q 100061031.90 400-480V 兆欧表
¥7,470.00
📣宝贝型号: SIM-Q 100061031.90
🏚️交货货期：现货
⚙️产品名称：模块/控制器/伺服器/触摸屏
3️⃣6️⃣5️⃣保修期：12个月
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Description
DEIF SIM-Q 100061031.90 400-480V 兆欧表
不同于n沟道的情况下，P沟道增强型MOSFET具有相反的极性，这意味着只有当VGS为负时才会形成沟道。
在这种情况下，夹断条件发生在:|VDS| = |VGS|-|Vt|。为什么?因为所有电压都是负的。
下面是漏极电流如何随漏极电压(VDS)变化的进一步说明:
DEIF SIM-Q 100061031.90 400-480V 兆欧表
耗尽型和增强型MOSFET的主要区别在于，当VGS=0时，增强型MOSFET不导通，而耗尽型MOSFET导通。
MOSFETs的特性
下面是MOSFET的一些基本特性:
它由电压控制
它具有高输入阻抗
它是单极的
这是一个三端设备
MOSFETs的传输特性
这是一条代表VDS随漏极电流(ID)和VGS变化的曲线。
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