DEIF LSU-112DG 并联和运行冷凝器

Description

DEIF LSU-112DG 并联和运行冷凝器

仔细观察上面的结构，你会发现MOSFET有三个终端器件:源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

这些端子都位于MOSFET的衬底上。这意味着衬底充当MOSFET的基础，形成电流流入晶体管的通道。为什么?因为源极和漏极端负责包括电流在内的电荷载流子的流动。

这一过程基于欧姆定律该定律指出，只要导体的温度和其他物理性质保持不变，通过导体的电流与导体两端的电位差成正比。

DEIF LSU-112DG 并联和运行冷凝器

当施加电压时，电子和电流从MOSFET的源极移动到漏极。为什么?因为根据欧姆定律:V=IR，其中V=施加的电压，I=流向MOSFET的电流。因此，施加电压的增加导致供应电流的增加。

MOSFET的栅极负责控制从源极到漏极的电流。