MOTOROLA MVME335

Description

MOTOROLA MVME335

如图9所示，重叠拼接电容层内置于GND1、SIG、PWR和GND2。GND1和PWR上的层连接到ADuM5411的副边，SIG和GND2上的层连接到ADuM5411的原边。这意味着GND1与SIG、SIG与PWR、PWR与GND2之间形成三个并联拼接电容。重叠区域的宽度为4.5 mm，长度为17 mm，意味着总拼接电容为72 pF。

MOTOROLA MVME335

根据EN55022规范，在10米处进行了两组EMI测试。第一个测试使用了一个拼接电容板，如图10所示。图11显示了结果，它以约11.59 dB的裕量通过了EN55022 B类标准。第二个测试使用无拼接电容的电路板，电路板上安装了外部安全电容KEMET C1812C102KHRACTU 3 kV、150 pF。图12显示了结果，它以0.82 dB的裕量通过了EN55022 B类标准。