LAM RESEARCH 810-370540-002

Description

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在具有更高击穿电压的垂直结构中开发半导体功率器件的挑战之一是，由于R的增加，传导损耗相应增加DS(开)。在具有较高耐受电压的器件中，漂移层通常较厚，这增加了传导损耗。

因此，虽然提高工作电压会带来效率优势，但MOSFET内传导损耗的相应增加会抵消部分或全部优势。

然而，基于SiC的功率器件可以提供更高的击穿电压，而漂移层比等效的硅器件薄得多，从而导致更低的正向压降和更低的传导损耗。

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由于需要击穿电压超过工作电压的MOSFET器件，onsemi专门为此类应用开发了一系列新的SiC MOSFETs。

onsemi的NTBG028N170M1是一款N沟道平面精英MOSFET，针对高压下的快速开关应用进行了优化决策支持系统(Decision Support Systems)1700 V和扩展V(美国联邦政府职员)总表(General Schedule)该器件可以支持漏极电流(即D)连续电流高达71 A，脉冲电流高达195 A。

onsemi的ntbg 028n 170 m1在小型D2PAK封装中提供1，700V的VDSS额定值。

这款鲁棒的器件具有出色的R，可降低传导损耗DS(开)值仅为28mω(典型值。)，而超低栅极电荷(Qg(总计))仅222 nC，确保高频工作时的低损耗。该器件采用表面贴装D2PAK–7L封装，可降低工作时的寄生效应。