LAM 810-495659-306 电源ESC

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在未来4-5年的短期内，GaN将满足600至1.2kV范围内的许多功率IC应用。两个电压选项是目标，600 V和1.2 kV。目前的应用包括太阳能逆变器、电动和混合电动汽车(ev和HEV)、不间断电源(ups)、通信和RF固态功率放大器。

然而，从长远来看，SiC IC功率技术将有所发展，特别是需要极高温度和极端耐用性、极低开关损耗的应用，火车、运输、2 kV或更高电压等机车车辆应用，以及石油和天然气钻探等地球物理应用。一些公司已经推出了SiC MOSFETs，与IGBT MOSFET相比，它可以减少70%以上的开关损耗。

根据HIS Inc .的研究，到2023年，GaN和SiC功率市场将超过25亿美元。IHS高级分析师理查德伊登(Richard Eden)表示:“尽管终端用户现在更喜欢常关型SiC MOSFETs，但SiC JFETs和BJT似乎仍将是专业的利基产品。”

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美国Lux Research“打破GaN电子市场”研究的负责人、分析师帕拉维·马达卡西拉指出，硅衬底上的GaN比GaN衬底上的GaN和SiC衬底上的GaN等其他方法具有更高的性能，后两种方法“将限制它们的采用”。她认为交通和可再生能源/智能电网行业是关键市场，销售额分别达到3.5亿美元和3.8亿美元。她预测，到2024年，氮化镓集成电路功率转换市场的整体规模将增长至11亿美元。

法国Yole dédevelopment与Yole合作伙伴KnowMade基于知识产权(IP)动态对GaN功率IC技术的发展进行了类似的评估。KnowMade首席执行官Nicolas Baron解释说:“GaN器件的未来还取决于不断增长的全球专利格局和即将到来的并购活动”(图6)。