Lam Research 810-099175-009 VIOP第三阶段印刷电路板
¥4,588.00
📣宝贝型号: 810-099175-009
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Description
Lam Research 810-099175-009 VIOP第三阶段印刷电路板
Powerex声称它们提供了同类最佳的热阻和极低的损耗。IGBTs基于该公司的CSTBT(载流子存储型沟槽栅极双极晶体管),可应用于230交流电机驱动、风力和光伏逆变器、不间断电源(ups)和医疗设备。该技术依赖于优化IGBT中使用的NPN晶体管的N+发射极层、P+扩散层和栅极氧化物厚度,以减少晶体管的寄生效应,并将工作温度提高至200°任何热失控和关断故障。
来自的新型1.2kV M系列IGBTs意法半导体采用先进的沟槽栅极场停止技术,以节省能源并提高太阳能逆变器、焊接设备、不间断电源和工业电机驱动器的可靠性。工作频率最高可达20 kHz,工作温度最高可达175°c。
Lam Research 810-099175-009 VIOP第三阶段印刷电路板
传统的硅基MOSFETs为设计人员在更小的尺寸、效率、更低的开关速度、功率密度和元件数量方面做出通常的权衡提供了空间。最近的例子包括意法半导体公司的条形场效应晶体管F7提供最高能效同步整流的器件。这允许使用更少的并联器件来获得所需的最大电流,这有助于提高功率密度并减少元件数量。
意法半导体在其集成快速恢复二极管和650击穿电压的MDMesh DM-2 n沟道功率MOSFETs中采用新技术和封装重新定义了功率转换效率。它应用于计算机、电信网络、工业和消费电子设备的低压电源。
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