LAM 810-006490-005 过滤器二头肌直流探头

Description

LAM 810-006490-005 过滤器二头肌直流探头

对于电源系统设计人员来说，这是一个好消息。硅基功率器件在二极管、晶体管和场效应晶体管(FET)功能方面取得了性能进步。但是，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽带隙半导体IC技术将迅速发展，以更小的封装为设计人员提供更高的性能，使设计决策更具挑战性。

与二极管、晶体管和场效应晶体管(fet)等传统硅基器件相比，GaN和SiC功率iC具有更高的工作电压、更高的工作频率(更快的开关时间)、更高的温度容差和更低的功耗。宽带隙(WBG)器件是那些提供大于1电子伏特(eV)的更高电压电子隙的器件。硅的带隙为1.1 eV，而SiC的带隙为3.3 eV，GaN的带隙为3.4 eV。

LAM 810-006490-005 过滤器二头肌直流探头

作为提高能源效率和到2030年将美国能源产量翻一番的努力的一部分，能源部(DoE)已经为WBG半导体IC开发项目拨款2200万美元。目的是将WGB集成电路技术与驱动兆瓦级电机的先进技术相结合，用于大规模发电和应用。目标是提高高能耗行业、家庭、化石燃料和下一代电机的能效并降低能耗。

硅基功率IC技术受限于硅不能处理更高的工作电压、温度和频率。它们的一个优势是成本较低，因为它们是使用传统的硅加工步骤制造的。

然而，硅基功率IC正在以先进的场效应晶体管(fet)的形式取得自己的性能进步，如高电子迁移率晶体管(HEMTs)和利用绝缘栅双极晶体管(IGBTs)的先进MOSFETs。IGBTs目前是电力电子行业的主力。