LAM RESEARCH 853-001983-110

Description

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由于边沿速率较快，很难精确测量SiC MOSFET PIMs的动态性能。通常，测试设备应至少具有300 MHz带宽，高频测量技术也适用。电压探针应与最小接地环路相连，并使用Rogowski线圈等高性能传感器监控电流。

随着功率水平的提高，从IGBTs切换到SiC MOSFETs是一项系统净收益，而PIM提供了一条便捷的途径。然而，熟悉使用IGBTs的人应该知道，简单的更换不会产生良好的结果——最佳性能需要重新评估栅极驱动安排、布局和EMI滤波。

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在中高功率范围内，单个设备的额定值(如上所述)可能不够。我们所说的可扩展性是指串联和并联连接的适用性。串联连接用于增加电压，而并联连接增加总额定电流。

IGCT设备的串联和并联很复杂，可能需要一个平衡网络。首选解决方案是将整个模块(构建模块)并联和串联【5].

相比之下，IGBTs的串联和并联连接很简单，并由可以形成开关行为(例如有源箝位)的栅极单元支持。