Kongsberg Nor Control WBU 8798 OL望桥装置HA333688B

Description

Kongsberg Nor Control WBU 8798 OL望桥装置HA333688B

除了节能之外，使用SiC提高效率的好处还包括减小尺寸和散热量，相同散热量下的温升更低，或者相同散热量和温升下的功率吞吐量更高。此外，SiC的高频能力也值得研究。尽管SiC器件的结温比WBG器件高，但它们的额定工作温度通常比硅器件高25°C。与IGBTs相比，SiC MOSFETs的效率仍有显著提高，但损耗略高于一半。然而，在较高频率下工作也允许使用物理上小约三分之一的升压电感，从而节省成本和重量。此外，基频和低谐波处的EMI滤波更少，从而进一步节省成本。

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损耗并不是IGBTs和SiC MOSFETs之间的唯一区别。例如，MOSFETs包含一个体二极管，这在IGBTs中是不存在的。体二极管可用于要求开关反向或“第三象限”导通的转换级。尽管SiC MOSFET体二极管的正向电压降相对较高，但它可以提供导通。因此，当以这种方式使用IGBTs时，必须增加一个额外的并联二极管。