Kongsberg Nor Control ETU SW56 002-A2 HA334941B1

Description

Kongsberg Nor Control ETU SW56 002-A2 HA334941B1

动态损耗取决于频率。如果在相同的低频(比如16 kHz)下以大约20至30 A的开关电流对IGBTs和SiC MOSFETs进行比较，传导损耗相似，但动态损耗却大不相同。考虑开关损耗的两个来源，导通和关断能量E在和E离开分别是。IGBTs在低电流下具有较低的导通损耗，但存在一个交叉点;两种器件类型的Eon约为传导损耗的四分之一，IGBTs稍差一些，但绝对值不大。然而，E离开由于“尾”电流，IGBTs的电流要高得多。这些是少数载流子，在关断时必须清除出器件的N漂移区，从而产生瞬态功耗。E大约有10倍的差异离开设备类型之间的差异。

Kongsberg Nor Control ETU SW56 002-A2 HA334941B1

考虑基于PIM-IGBT的实际光伏升压转换器与使用PIM-SiC器件的光伏升压转换器之间的差异是有益的。附近的表格总结了两种情况，输入为500 V、25 A，输出为800 Vdc，工作频率为16 kHz，外壳温度为95°C。SiC的整体功耗明显降低，总损耗约为IGBT电路的三分之一，结温更低，可靠性更高。