Kongsberg 热电偶放大器 GA-110E 0-160°c

Description

Kongsberg 热电偶放大器 GA-110E 0-160°c

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)一直主导着高功率dc-dc和ac-dc转换，但碳化硅(SiC)MOSFET等新型宽带隙(WBG)半导体也在发挥作用。它们的额定功率在几十千瓦范围内竞争，并联时甚至更高。这两种技术不仅可以作为普通封装(如TO-247)中的独立器件使用，还可以作为电源集成模块(PIM)使用。PIM基本上是一个容纳多个开关的行业标准外壳，有时包括二极管甚至驱动器和保护电路。利用PIMs，单个封装就可以为转换器和逆变器功能提供完整的功率级。

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IGBTs和SiC MOSFETs在几个方面存在显著差异。IGBTs因其动态损耗而被限制在低频范围内，但在导通时会降低标称恒定的饱和电压。这种行为导致功率损耗与电流成正比。相比之下，SiC MOSFETs可以在数百千赫的频率下以低动态损耗进行开关，但在导通时表现出标称恒定的电阻。这种行为会导致与电流平方成正比的功率损耗，随着功率吞吐量的增加，这显然是一个越来越大的缺点。