GE FANUC MULTILIN URRHH

Description

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半导体是任何电力电子设备的心脏。在变频驱动器的中压范围内，出现了两种类型的功率半导体:绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成门极换向晶闸管(IGCT)。自然，有许多(白皮书)论文、文章和演示文稿讨论了这两种半导体技术的优缺点。在本文中，我们还提供了IGBT和IGCT的简要比较。

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历史上，IGBT是由MOSFET晶体管演变而来的。该动力装置大约从2000年开始使用。70年代中期。长期以来，主要领域都是低压应用。直到20世纪90年代初，阻断电压被限制在1200 V级。20世纪90年代后期，发展加速，朝着今天已知的高达6500 V级的中压范围发展。ABB、通用电气、三菱或东芝等公司对IGBT的发展做出了重大贡献。

IGCT是ABB在1996年引进的。这种功率半导体基本上是门极可关断(GTO)晶闸管的演变。晶闸管旁边的栅极单元的集成允许寄生电感的最小化、更高的开关频率、显著降低的损耗和器件的整体更好的性能。出于论证的目的，与GTO相比，IGCT半导体的关断时间缩短了30倍。