GE FANUC MULTILIN UR8LH

Description

GE FANUC MULTILIN UR8LH

与功率MOSFET不同，IGBT没有固有体或续流二极管。然而，需要一个二极管通过提供续流路径来防止反向电流，从而保护IGBT。一些IGBTs带有集成二极管;否则，必须在电路中增加一个二极管。

增加一个辅助发射极来降低门电路中杂散电感的影响可以改善IGBT开关性能(图2)。辅助发射极不承载负载电流;它减少了电感耦合导致的失真，利用开关波形进行了清理，并简化了电磁兼容性设计。

GE FANUC MULTILIN UR8LH

IGBTs用于中高功率开关电源、可再生逆变器、牵引电机驱动、感应加热和类似应用，功率高达数百千瓦。大型IGBTs通常由许多并联器件组成，阻断电压高达6500V，能够处理数百安培的电流。虽然IGBTs的开关速度比IGCTs快，但它们的开关频率比功率MOSFETs低。对于需要300V至600V器件的功率转换器，可以使用IGBTs和MOSFETs，具体取决于应用的具体需求;低于600V时，MOSFETs占主导地位，高于600V时，IGBTs占主导地位。与IGBTs一样，IGCTs是完全可控的功率开关，用于自换向功率转换器。