GE FANUC MULTILIN UR8HH

Description

GE FANUC MULTILIN UR8HH

基本的IGBT操作非常简单:

正电压(U通用电气公司)从栅极到发射极导通MOSFET栅极。

这使得连接到集电极的电压能够驱动基极电流通过双极晶体管和MOSFET

双极晶体管导通，负载电流流经IGBT。

为了关闭IGBT，电压U通用电气公司≤ 0 V用于关闭MOSFET，中断基极电流，关闭双极晶体管，IGBT停止传导电流。

GE FANUC MULTILIN UR8HH

IGBTs单向传导电流。由于MOSFET栅极的容性特性，栅极电流只需对栅极电容充电即可开启器件。虽然栅极结构的电容特性限制了控制IGBT所需的功率量，但该器件的双极性特性将其开关频率限制在最大约30 kHz。然而，降低开关损耗的谐振拓扑可以使IGBTs以稍高的频率开关。