GE FANUC MULTILIN UR8FH

Description

GE FANUC MULTILIN UR8FH

所有日立能源IGCTs(集成门极换向晶闸管)都是压装设备。它们用相对较大的力压到散热片上，散热片也用作电源端子的电触点。

IGCT的开启/关闭控制单元是该部件的一个组成部分。它只需要一个外部电源，其控制功能可以通过光纤连接方便地访问。该设备的控制功耗通常在10 – 100 W

IGCT针对低传导损耗进行了优化。其典型的开/关开关频率在500赫兹范围内。然而，与矩形脉冲断开开关频率上限仅受工作热损耗和系统散热能力的限制。该特性与器件在开关状态之间的快速转换相结合，可实现开关频率高达40 kHz的短开关脉冲突发。

IGCTs需要一个导通保护网络(本质上是一个电感)来限制电流上升的速度。然而，与GTO相反，关断保护网络是可选的。它可以省略，代价是关断电流能力略有降低。

GE FANUC MULTILIN UR8FH

IGBTs的开发旨在将功率MOSFETs的简单栅极驱动要求与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。它们是单个器件中由隔离栅MOSFET控制的双极性功率开关的组合(图1)。IGBTs设计用于快速和低功耗容性开关，驱动高电压和高电流负载。隔离栅极是一种MOSFET结构，而不是单独的MOSFET。MOSFET栅极结构取代了双极晶体管的基极，由此产生的IGBT具有发射极、栅极和集电极引脚。