R-S108V01-16-24VDC-C10-1 导通电流Ic

R-S108V01-16-24VDC-C10-1

我们刚刚接触了晶体管器件，你肯定会被告知有两种类型的晶体管:NPN和PNP，所以让我们从这里开始。如下图1.1所示，左侧为NPN三极管结构，右侧为PNP三极管结构。通过向NPN晶体管的基极(基极)添加正电流，它可以控制晶体管导通以形成导通电流Ic;通过向NPN晶体管的基极(基极)添加负电流，它可以控制晶体管导通以形成导通电流Ic。利用这一特性，作为开关管晶体管，NPN通常在低端驱动，而PNP通常在高端驱动。感兴趣的话，跟我来，我们后续将对晶体管电路的应用进行探讨。

R-S108V01-16-24VDC-C10-1

其结构和载流子掺杂是有意设计的，主要特点是发射极掺杂浓度高、基区薄和集电极面积大。基于这样的结构，开始了“卒接龙”。

基极-发射极加正向电压使发射极结正偏置，耗尽层(发射极结)变薄，发射极区的载流子(电子)扩散能力增强，大量电子进入基极区。

基区的特点是很薄，可以提供很少数量的空穴，电子进入基区后，很少一部分电子和空穴进行复合，形成复合电流Ib

大量电子堆积在基区中，可以很容易地进入集电极结的内部电场范围。一旦电子进入集电极结的内部电场，电子将在电场的作用下漂移到集电极结。

一旦电子进入集电极结的内部电场，电子将在电场的作用下漂移到集电极结。到达集电极结的电子有足够大的空间(低掺杂、大面积)自由移动，并且很难通过内部电场返回和扩散到基极区，因此大多数发射极电子通过基极区到达集电极。