ABB 5SHX1445H0001 3BHL00391P0101 3BHB003230R0101 5SXE05-0152

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由于最新的技术飞跃，IGCT未来仍有巨大的发展潜力。主要重点是降低特定器件的成本，其新技术可概括为四个方面:二极管开发(非吸收二极管)、阻断电压(6kV、9kV)、封装(塑料、水冷器件、低温键合、应变缓冲片)和钝化技术(无机钝化)。可以预期，提高可靠性和降低成本是未来发展的驱动力。事实上，需要改进当前的封装技术，并在封装中集成其他功能，例如驱动电路和保护电路。因此，封装技术很可能是未来的一个重要研究课题。

IGCT在功率、可靠性、速度、效率、成本、质量和尺寸方面已经达到了新的性能标准，并且在未来的发展中仍有巨大的潜力，随着人们对它的持续关注，它必将成为高功率应用的首选功率半导体器件。

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IGCT包含未来电力电子应用所需的重要技术，是对电力电子技术的重大贡献，因为其存储时间短，不同设备之间的关断时间偏差最小。因此，它特别适合串联使用，其出色的关断特性允许设计非吸收式逆变器，即使在数万赫兹的频率下工作，也能应对复杂而短暂的控制过程。

IGCT结合了GTO技术和现代功率晶体管的优点IGBTs在单个设备中。简单可靠的串联连接功率关断装置的关键技术使IGCT在中压和高压领域以及功率从0.5到100 MVA的大功率应用中没有真正的对手。由于公认的IGCT在大功率电力电子应用中的重要性，世界范围内对IGCT器件技术的研究浪潮已经开始。