LAM RESEARCH 810-034806-105 HALO/VCI INTRF-6

Description

LAM RESEARCH 810-034806-105 HALO/VCI INTRF-6

松下公司声称已经开发出GaN二极管，不仅可以在比SiC二极管大四倍的高电流下工作，而且阈值电压也很低。这些二极管可以处理7.6 kA/cm2的电流，需要0.8 V的低导通电压，导通电阻仅为1.3ω/cm2。为了实现这一性能，松下使用了GaN二极管与沟槽式p-GaN层的混合结构，该层可以在加工过程中通过n型层选择性地去除。

80-V 10-A等模块形式的GaN FET原型样品LM5200可从以下网站获得德州仪器。该模块针对空间受限的高频工业和电信应用中要求提高功率密度和效率的应用，包含两个半桥配置的GaN FETs和一个高频驱动器，全部封装在一个四方无引脚(QFN)封装中。

LAM RESEARCH 810-034806-105 HALO/VCI INTRF-6

Wolfspeed公司最近提供了其C2M1000170J处理1.7千伏的电压。它针对SMIT封装中的额定值进行了优化，雪崩额定值大于1.8 kV，RDS(on)为1ω。其源极和漏极之间的爬电距离为7 mm，尺寸小，适合配备大功率逆变器的辅助电源、不间断电源(UPS)设备、风能转换器和牵引电源系统。