Lam Research 810-330490-001 ESC射频滤波板

Description

Lam Research 810-330490-001 ESC射频滤波板

真空晶体管由三部分组成:由硅场发射阵列(Si FEAs)组成的电子源、真空封装和金属阳极。硅FEAs是一种场发射器件，由直径《10 nm的尖锐硅尖端组成，旨在集中电场，与镇流电阻器或高纵横比硅纳米线串联。硅FEAs可以通过芯片制造技术大规模生产。硅FEAs和阳极通过多通道真空引线连接，并引线键合在封装上。这些纳米线嵌入介电基质中，并由导电(多晶硅)栅极控制。

Lam Research 810-330490-001 ESC射频滤波板

该组织警告称，尽管真空晶体管具有非常有前途的内在品质因数，但这项技术仍处于早期阶段。首先，必须开发能够承受高电压的真空封装(~10-8托)。能够满足晶体管电场要求的真空封装尚未得到证实。晶体管部分涉及的电容目前约为50 aF/tip，假设器件不受渡越时间限制，可实现的频率限制在1-10 GHz。电容和渡越时间限制之间的电流交叉发生在约100 kV。他们还表示，电子源的进一步优化可能会改善该设备，使更高的频率和更低的电压变得有趣。