LAM RESEARCH 810-073479-215

Description

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另一方面，IGBT承受着很高的热负荷。该设备通常由大量连接各个芯片的微小导线(丝焊)组成。当经历由于占空比引起的温度波动时(加热时膨胀，冷却时压缩)，焊接的引线接合会受到机械应力。循环加热和冷却可能导致IGBT模块的材料疲劳和失效。对于在几秒钟的时间跨度内具有较大循环负载变化的应用来说，这显然更为关键。

有些高功率压装式IGBT没有引线键合，消除了上述缺点(例如日立能源公司的斯塔克IGBT【2】具有不均匀芯片压力)。

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现有大功率真空管的一个大问题是它们使用加热灯丝(》2000°C)作为电子源。这种热电子源开关缓慢且发热，因此辅助电子设备必须保持一定距离。该组织表示，真空晶体管没有任何缺点。取消热离子源使晶体管的其他部分靠近电子源，从而实现制造一款在所有指标上都优于固态设备的紧凑型设备所需的高电场。