LAM RESEARCH 810-046015-010

Description

LAM RESEARCH 810-046015-010

一般来说，由于IGCT的导通电压较低(IGCT约为1.8至2.2 V)，因此其传导损耗较低。对于具有可比额定电压的IGBT，为2.8至3.5 V)。在最新IGBT的情况下，开关损耗相当或最终略低(更高的导通损耗和更低的关断损耗)。因此，整体比较取决于应用的具体开关频率。

LAM RESEARCH 810-046015-010

从寿命的角度来看，衰老无疑是一个话题。对现场使用过的半导体的研究、测试结果和分析表明，IGCT的电源部件实际上不会老化。该装置具有圆盘结构(所谓的晶片)，通过夹紧装置施加压力产生电接触。这消除了引线接合的需要。此外，IGCT内部的材料在加热和冷却时会有一些“滑动”空间。在瑞士Gotthard Basis隧道施工期间，对矿井提升机应用中的VFD进行了特别分析。完成建造后，驱动器退役，IGCTs被送回制造商进行详细分析。调查显示几乎没有衰老的迹象。