LAM 810-800256-004 节点板

Description

LAM 810-800256-004 节点板

IGBTs和SiC MOSFETs的栅极驱动名义上可能相似。但是SiC器件的导通驱动对于最低传导损耗更为关键。它必须尽可能接近绝对最大值(典型值为25 V)。因此，通常使用20 V，以提供一定的安全裕度。这两种类型的器件标称关断，栅极驱动电压为0V，但两者通常都由几伏的负电压驱动。这给出了较小的E离开关断时栅极-源极振铃更少，并有助于防止“幻象导通”，这种导通可能是由栅极驱动环路常见的任何源极或发射极电感的尖峰引起的。

LAM 810-800256-004 节点板

任何器件米勒(漏极到栅极)电容也可能导致器件以高漏极或集电极电压边沿速率(dV/dt)虚假导通。同样，负栅极驱动有助于避免问题。

SiC MOSFETs的dV/dt和di/dt比IGBTs高得多。因此，高频布局技术必须仔细去耦，以避免不可靠的操作和过度的电磁干扰。驱动器必须靠近SiC MOSFET PIM。MOSFET源的任何可用开尔文连接都应用作驱动器回路，以避免公共电感。