PRAXIS 93.0.310 REV FB

Description

PRAXIS 93.0.310 REV FB

每次施加正电压(VGS)，P沟道中的空穴就会被推向N型衬底。N型衬底中的电子将被吸引到P沟道。

随着正电压不断增加，P沟道中的空穴数量和电流将进一步减少。

然而，当施加负电压时，P沟道中的空穴和电流将被吸引到MOSFET的负端。

PRAXIS 93.0.310 REV FB

N沟道增强型MOSFET也由一个P型衬底构成，在漏极和源极有一个N沟道。

当电压(VGS) =0时，没有电流流向通道，但电压一为正，电流就开始流动。为什么?因为电子将被吸引到栅极端，空穴将被推入衬底。

如果你增加VGS，使VGS>Vt，栅极和源极端子之间的电压差将减少。

当你进一步增加VGS，夹断条件将出现。那是什么意思?这意味着流到沟道的漏极电流将变得饱和，并且将达到饱和电压(VDS)。