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ABB DSTA001 3BYN571201-AB/00 模拟卡
¥7,787.00
📣宝贝型号: DSTA001 3BYN571201-AB/00
🏚️交货货期：现货
⚙️产品名称：模块/控制器/伺服器/触摸屏
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Description
ABB DSTA001 3BYN571201-AB/00 模拟卡
N沟道耗尽型MOSFET包含形成N沟道的N型材料和形成衬底的P型材料。漏极和源极连接到N沟道，但栅极端子通过二氧化硅层.
一旦对MOSFET施加正电压(VGS)，阈值电压(Vt)就会被激活，电流开始从源极流向漏极。这个过程一直持续到源中的所有电子都对电流有贡献，使电流恒定。
然而，重要的是要注意，传统的电流方向被认为是从漏极流向源极，与电子流相反。您可以在下图中看到漏极电流(IDSS)和施加电压(VGS)的行为:
ABB DSTA001 3BYN571201-AB/00 模拟卡
然而，施加负电压将电子从栅极端推向衬底。那是什么意思?这意味着衬底中的空穴会被电子吸引。
随着负电压的增加，N沟道中可用的自由电子数量将会减少。这是由于来自N沟道的电流减少。
通过研究下图，你会对这个概念有更好的理解:
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